等离子气相沉积设备 AD-230LP 返回列表页

AD-230LP是一种原子层沉积（ALD）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。

主要特点和优点

可以在原子层水平上实现均匀的层控制。

可实现高纵横比结构的共形沉积。

具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。

采用的反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。

通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积最小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。

应用

氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。

电子设备的闸门绝缘子

半导体、有机EL等的钝化膜。

半导体激光器的反射面

在MEMS等3D结构上的沉积

石墨烯上的沉积

碳纳米管保护膜粉末涂层