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图 5.28 晶体中点缺陷示意图 除上述几类缺陷外,实际应用的固体往往是多晶体。它是由许多微小的单晶体所组成的,而这些单晶体在堆砌时晶面常出现相互倾斜,这样就使得在实际晶体中,不能实现格点严格的周期性排列,也就是说结构上偏离了理 想晶体。 图 5.29 晶体中线缺陷示意图 总之在实际晶体中存在着各种缺陷。由于晶体的缺陷引起格点发生畸变,使正常晶体结构受到一定程度的破坏或搅乱,从而导致晶体的某些性质发生变化。例如,由于缺陷使格点发生畸变,一般将引起机械强度的降低。 同时对晶体的韧性、脆性等性能也会产生显著的影响。但当大量的位错(线缺 陷)存在时,由于位错之间的相互作用,阻碍位错运动,也会提高晶体的强度。 此外,晶体的导电性与缺陷密切相关。例如,离子晶体在电场的作用下,离 子会通过缺陷的空位而移动,从而提高了离子晶体的电导率;对于金属晶体 来说,由于缺陷引起晶格畸变而使电阻率增大,导电性能降低;对于作半导 体材料的固体而言,晶体的某些缺陷将会增加半导体的电导率。 |