Ø 产品简介： Ø 技术特色： • 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿 • 红外卤素管灯加热 • 极其优异的加热温度精确性与均匀性 • 快速数字PID温度控制 • 不锈钢冷壁真空腔室 • 系统稳定性好 • 结构紧凑，小型桌面系统 • 带触摸屏的PC控制 • 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr • 3路气体（MFC控制） • 没有交叉污染，没有金属污染 Ø 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP150型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。 Ø 主要技术参数： • 基片尺寸：6英寸 • 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座） • 温度范围：150-1250℃ • 加热速率：10-150℃/S • 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) • 温度控制精度：≤ ±3℃ • 温度重复性：≤ ±3℃ • 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr • 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路） • 退火持续时间：≥35min@1250℃ • 温度控制：快速数字PID控制 • 尺寸：870mm*650mm*620mm Ø 基片类型： • Silicon wafers硅片 • Compound semiconductor wafers化合物半导体基片 • GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片 • Silicon carbide wafers碳化硅基片 • Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片 • Glass substrates玻璃基片 • Metals金属 • Polymers聚合物 • Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座 Ø 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。
REAL RTP150型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款6寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。
微纳（香港）科技有限公司(MNT)是一家专业的高科技仪器与设备供应商。是由海外留学归国人员创办的专门从事国外检测设备代理的高科技公司，我们已经与多所高校共建了合作关系，致力于为中国材料，机械，半导体，医学，汽车，航天等领域提供国际的检测设备与技术解决方案。 目前， 微纳（香港）科技有限公司（MNT）是多家欧美、韩国仪器供应商在中国的代理商，主要负责相关设备在中国的销售，技术支持与售后服务， 产品涵盖原子力显微镜、光学轮廓仪、表面轮廓仪、三维表面形貌仪、纳米压痕仪、微米压痕仪、纳米划痕仪、微米划痕仪、摩擦磨损试验机、热蒸发镀膜系统、磁控溅射镀膜系统、电子束蒸发系统、CVD、等离子刻蚀机、真空高温退火炉、棱镜耦合仪、共聚焦拉曼显微镜等诸多产品，客户遍及中国各大高校、科研院所及企业。 我司的服务理念是：专业成就品质，服务创造价值，诚信铸就品牌！
REAL RTP150型快速退火炉 产品信息
