导电和防静电材料体积电阻率测试仪 返回列表页

导电和防静电材料体积电阻率测试仪

原理：导电浆料电极极片中，影响电阻率的主要因素包括基材与涂层的结合界面情况，导电剂分布状态，颗粒之间的接触状态等。通过测定极片电阻率能够判断极片中石墨烯在正极主材微观结构的均匀性和导电浆料的电性能。

导电和防静电材料体积电阻率测试仪

四探针测试法所示，在半径无穷大的均匀试样上有四根间距为S的探针排列成一直线。由恒流源向外面两根探针4通入小电流I，测量中间两根探针2、3间的电位差U、I、S的值与样品的电阻率ρ的关系如下式所示：

双电测测试模式，测量精度高、稳定性好.

当样品厚度比较小时，不满足试样尺寸半无穷大条件，电阻率公式需要修正因子，此时薄膜样品的电阻率为：      

本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。

软件功能（选配）：软件可记录、保存、各点的测试数据；可供用户对数据进行各种数据分

四位半显示读数；八量程自动或手动测试；

式中S1、S2、S3、分别为探针1与2、2与3、3与4之间的距离，当S1=S2=S3=S时，C=2πS。

正反向电流源修正测量电阻误差

自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

测量范围宽： 电阻：10-4Ω－10-5Ω ；方阻：10-4Ω/□－105Ω/□；

极片电阻率 electrode resistivity 导电浆料与其他材料按配比、规定步骤制得的膜的单位体积上的电阻大小。

可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。析。

基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。

厚度可预设，自动修正样品的电阻率,无需查表即可计算出电阻率。

丰富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。实现远程控制。U盘可记录测试数                    档分选功能：超上限，合格，超下限，可对被测件进行HI/LOW判断，可直接在LCD使用标志显示；也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。

GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。

仪器：分析天平，感量0.0001g。四探针电阻率测试仪由主机、四探针头等组成，整个仪器系统满足JJG 508 I级要求。搅拌机，湿膜制备器，电热鼓风干燥箱，温度可控制在150℃±2℃。真空干燥箱，温度可控制在120℃±2℃。螺旋千分尺，磁力搅拌器。干燥器，装有适宜的干燥剂，例如变色硅胶。

GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

4. 整机测量罪大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%

国际标准分类中，四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。

四端测试法是目前较*之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

式中C为探针修正系数，由探针间距决定。当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无穷大条件时，有：

材料：无水乙醇，化学纯。耐高温PET膜，厚度100µm，宽100mm，耐温度为200℃。聚偏氟乙烯（PVDF），型号为HSV900，纯度≥99.5%。N-甲基吡咯烷酮（NMP），电子级。正极材料，磨口具塞锥形瓶，250mL.磁子,4cm~5cm。

本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

3. 精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%

16. 测试模式：可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。

提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求

15. 比较器判断灯直接显示，勿需查看屏幕，作业效率得以提高。

GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

10. 校正功能：可手动或自动选择测试量程 全量程自动清零。

标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。

便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；

具备温度补偿功能，修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。

DB13/T 5026.1-2019中界定的以及下列术语和定义适用于本文件。