详细摘要： 此设备具有以下测试单元。注：开关时间，二极管反向恢复，栅极电荷需要可在分装后测试，静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。开关时间测试单元开启延迟时间（Td（on...

详细摘要： 晶闸管综合参数测试系统，是大功率晶闸管测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1. 该测试系统是一套综合的测试系统，综合测试参数多，技术难度大。2. 该测试系统...

详细摘要： 日本岩崎 替代 易恩栅电荷测试系统ENS1040栅电荷测试系统西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区，是陕西省政府重点支持的*。公司专注于研发、生产和销售半导体封...

详细摘要： EN-2020A半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流...

详细摘要： 针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统大功率（IV可扩展至4500A，6000V）自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作）计算机记录测试结果，测试...

详细摘要： EN-2005C测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确...

详细摘要： 西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测...

详细摘要： 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）作为功率开关器件，具有载流密度大、饱和压降低等许多优点，但...

详细摘要： 试验电压： 50～5000V ±3%±10V 器件漏电流测试范围： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0...

详细摘要： 一般情况下，此项试验是对器件在结温（Tjm ℃）和规定的 交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下，进行规定时间的 试验，并根据抽样理论和失效判定依据，确认是否...

详细摘要： 易恩电气ENG1220 IGBT功率循环测试系统测试方法符合GB/T29332-2012/IEC 60747-9:2007及GB4023-83等相关标准。IGB...

详细摘要： 西安易恩电气ENR0620 热阻测试系统，本系统测试原理符合 JEDEC51-1 定义的动态及静态测试方法）运用实时采样静态测试方法（Static Method...

详细摘要： 西安易恩电气 ENL3010 浪涌测试系统 ，该测试台通过电容充放电原理产生电流波形，根据不同的测试条件，设定好各试验参数，再通过调节不同的电感值（手动调节）来...

详细摘要： 该系统是测试IPM的测试设备，输出电压3000v.电流3000A,系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。

详细摘要： ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪...

详细摘要： EN-2020A半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流...

详细摘要： EN—3020C测试系统（以下简称系统）是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统，该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-9...

详细摘要： 西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数...

详细摘要： 西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测...