AW40-04BE-2SMC温控器选型参数

AW40-04BE-2,SMC温控器选型参数
且吸着速度要快,则真空发生器的喷嘴直径应越大.
⑥真空发生器在满足使用要求的前提下应减小其耗气量（L/min）,耗小数点的照匀的
，并且Ru和Rd具有相同的电阻。 （b）当气体从左侧流动时

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MEMS传感器芯片包括从安装在膜上的铂薄膜涂覆加热器（Rh）的中心对称放置
的上游温度测量传感器（Ru）和下游温度测量传感器（Rd），以及环境温度传感器
Ra）测量气体温度。原理如右图所示。 （a）当气体静止时，以Rh为中心的加热
气体的温度分布是均单元参考可以在标准条件和正常条件之间选择。
？外部输入功能外部输入功能可从累加值外部复位，自动移位和自动移位零中选择
 （输入信号：将输入线连接至GND 30ms以上。）外部复位：当施加输入信号时，
此功能将累计值复位为“0”。自动移位：当应用输入信号时，该功能产生与实时
流速相关的变化。自动切换零：当在上述自动移位功能中施加正输入信号时，

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此功能将实时流速显示为“0”。相对地在负侧的设定值和流速由在zui左侧的
吸附管道及吸盘或密闭舱容积等),吸附表面的泄漏量与所需吸入口处压力的大小有
关.对一定吸入口处压力要求来说,若吸附腔的容积越小,响应时间越短;若吸入口处
压力越高,吸附容积越小,表面泄漏量越小,则吸着响应时间亦越短;若吸附容积大,
VQZ115-5M-01 VQZ215-4Y VQZ242-4LB-C6 VQZ332-5LB-C8 VQZ342-5LB-C8
VQZ115-5MB-C4 VQZ215-5G VQZ242-4L-C6 VQZ332-5L-C8 VQZ342-5YB-02
VQZ115-5MB-C4-PR VQZ215-5G-01 VQZ242-4L-M5 VQZ332-5M-02 VQZ342-5YB-C10
VQZ115-5M-C4-PR VQZ215-5GB VQZ242-4YB-C6 VQZ332-5MB-02 VQZ342-5YB-C6
VQZ115-5M-C6-PRF VQZ215-5GB-02 VQZ242-5GB-C4 VQZ332-5MB-C8-F VQZ342-5YB-C8
VQZ115-5M-CP VQZ215-5L VQZ242-5GB-C6 VQZ332-5M-C6 VQZ342-5YZ-02
VQZ115-5MO-C4 VQZ215-5L-01 VQZ242-5GB-M5 VQZ332-5M-C8 VQZ342-5YZB-02
VQZ115-5YB-C6 VQZ215-5L-02 VQZ242-5LB-C6 VQZ332-5MOB-C8-F VQZ342-5YZB-C8
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