二次离子质谱 IMS 7f

二次离子质谱 IMS 7f

1、众多独立分析实验室的主力军
2、通用磁扇区二次离子质谱仪：比飞行时间（TOF）SIMS要快，比四级杆
SIMS质量分辨率要高
3、高灵敏度痕量元素分析：ppm-ppb级
4、痕量元素深度剖析：亚微米级横向分辨率，纳米级深度分辨率

二次离子质谱概述

 

1. 一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子、分子或原子团的二次发射，即离子溅射。溅射的粒子一般以中性为主，其中有一部分带有正、负电荷，这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱。根据溅射的二次离子信号，可对被轰击样品的表面和内部元素及分布特征进行分析。
2. 二次离子质谱仪主要用于材料学（半导体、薄层、绝缘材料等）、地质空间学、天体化学、环境微生物学和细胞学。
3. 主要功能：

               质谱分析-表面微区元素组成

               痕量元素深度剖析

               二次离子成像及显微图像分布（2＆3D）

               稳定同位素丰度比

               放射性颗粒分析

               地质定年

 

二次离子质谱  IMS 7f

 

1、众多独立分析实验室的主力军

2、通用磁扇区二次离子质谱仪：比飞行时间（TOF）SIMS要快，比四级杆

      SIMS质量分辨率要高

3、高灵敏度痕量元素分析：ppm-ppb级

4、痕量元素深度剖析：亚微米级横向分辨率，纳米级深度分辨率

5、高灵敏度痕量元素二次离子显微图像（2＆3D）

6、高分析速度高精度的稳定同位素丰度比

7、可增配防辐射装置，用于放射性样品分析

8、用于半导体、材料和核能科学、生态环境领域、地质学

 

 

1. 灵敏度：IMS 7f 工作时的有效离子产率(useful yields- secondary ion detected per atomsputtered)比四极杆分析器高达100倍。做一次通常的深度剖析或者成像分析，以获得同样灵敏度所用时间相比，是飞行时间（TOF）类SIMS的千分之一。(或反过来说，同样的分析时间，TOF SIMS的灵敏度要低达1000倍)。
2. 质量分辨: IMS 7f 可以分辨绝大多数质谱中存在的质量干扰，例如，31P与H30Si, 56Fe与28Si or 17O与H16O。这些干扰使得低质量分辨率质谱仪（比如四极杆类型）的探测极限大打折扣。CAMECA的SIMS获得高质量分辨率的同时并不会降低分析速度，这是TOF质谱仪无法做到的。
3. 离子成像：IMS 7f 可以对所选质量给出显微镜模式的图像，分辨率达到一微米。从时间上看，这种模式下获得图像的速度比常规的扫描图像模式(microprobe mode)要高几个数量级。这种模式下还可以大大缩短调试设备的时长。
4.  若想获得亚微米级分辨率的图像，CAMECA IMS 7f 需要采用微探针模式，依靠动态光学传输以及高亮离子源达到业界zui高水准的灵敏度和分辨率。

高分析效率: A high efficiency optical gate is used to eliminate crater edge effects for combining high sputter rate and high dynamic range in the depth profile mode. Full computer control of the instrument allowing unattended analyses with different analysis recipe