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用于自由空间耦合THZ发射器和探测器

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更新时间：2023-01-10 15:56:31浏览次数：123次

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卓知科仪（北京）技术有限公司

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产品简介

THZ发射极和THZ探测器由一个在砷化镓基片上制作的微带光电导天线（PCA）组成。根据泵浦激光波长，低温生长的砷化镓（lt-gaas）或Gabias用作光电导体。表面采用普通金属化工艺形成共面赫兹偶极天线结构。光电导天线的几何结构，以及光电导外延层的特性都经过了优化，以获得的THZ辐射输出效率，同时保持的带宽。因此，当输出功率为30 mW且脉冲持续时间小于150 fs时，典型的THZ辐射功率超过10μW。探测系统的带宽超过700千兆赫，可用光谱范围为0.1-5太赫兹。

详细介绍

【概述】

由高密度硅制成，安装在X-Y级。Teravil提供两种标准类型的透镜：用于准直或发散THZ光束输出。在第二种情况下，PCA被放置在硅透镜的再生点，这可以减少THZ光束的球面像差。

THZ发射器或探测器由面板侧的激光束照亮。激光束必须聚焦在两个电极之间（图1）。金属触点之间的间隙类似于探测器外壳中的激光光斑直径，而发射器外壳中的激光光斑直径更大。THZ辐射由集成透镜收集。

调整螺钉用于将硅透镜定位到PCA中心。外壳背面的SMA插座用于将直流或交流偏压连接到THZ发射器，并将锁

定放大器输入连接到THZ检测器。三个M6孔中的任何一个可用于安装在光学台上的THZ发射器。

【特征】

基于LT-GaAs或GaBiAs光电导材料
针对800 nm或1060 nm左右的波长进行了优化
光谱范围广，噪音低
亚皮秒时间分辨率
随附技术护照和测试报告

【应用领域】

时间分辨宽带太赫兹光谱
光学泵浦-THz探针光谱
太赫兹成像

模型	发射器		探测器
	EMT-08	EMT-10	DET-08	DET-10

光电导天线
光导材料	LT-GaAs	GaBiAs	LT-GaAs	GaBiAs
晶圆的尺寸	5 × 1.5 mm
厚度	600 µm
天线类型	带状线		偶级
偏压	50 V, 典型值40 V		±12 V
中心太赫兹频率	~0.5 THz		0.5 THz
检测到太赫兹带宽	–		up to 5 THz
集成聚焦镜头
材料	HRFZ-silicon
几何形式	超半球
太赫兹光束输出	准直或发散		–
X-Y 可调节平台范围	±3 mm
泵浦光束参数
激发波长	800±40 nm	1060±40 nm	800±40 nm	1060±40 nm
平均功率	<50 mW	<20 mW	<50 mW	<20 mW
脉冲持续时间	<150 fs
脉冲重复频率	20-100 MHz
光束轮廓	接近高斯
光束直径	~2 mm

描述	模型	注释
用于800nm波长太赫兹发射器	EMT-8	包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆
用于800nm波长的太赫兹探测器	DET-8	I包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆
用于1060nm波长太赫兹发射器	EMT-10	包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆
用于1060nm波长的太赫兹探测器	EMT-10	包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆
太赫兹发射器/探测器安装平台	MNT	包括XYZ平台上的泵浦光束聚焦镜头
TMS-100M偏置电源	TMS-100	30 - 70 V DC或方波输出