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深圳市立维创展科技有限公司
重要参数 MA4M1100 MNS微波芯片电容器电容(PF):100隔离电压(V):100芯片样式:199
M/A-COM的MA4M系列MNS(金属氮化物硅)硅片电容器专为微波电路应用中的高可靠性和可重复性能而设计。这些电容器是用低压化学气相沉积(LPCVD)制造的,这种沉积可以形成致密、均匀的氮化物层。这些电容器比类似的MOS、MIS和陶瓷电容器表现出更高的单位面积电容(导致芯片尺寸更小)。蒸发金触点用于在电容器芯片上提供易于粘合的金属垫。M/A-COM MNS电容器在额定隔离电压为150ºC时没有显示出可测量的电容变化。MA4M系列片式电容器是用于Ku波段以上的混合微波电路的,该电路主要考虑低损耗、高可靠性、小尺寸和温度稳定性。这些片式电容器适用于需要直流模块、耦合电容器、旁路电容器、电容负载和振荡器、乘法器和滤波器中的调谐元件的应用。
MA4M1100 特征
•的重复性(晶圆对晶圆和批次对批次)
•小尺寸
•低损耗,高Q值
•提供圆形或方形焊盘
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