符合规则及认证 | EMC适合指令、UL/c-UL认证(注4) |
测量中心距离 | 50mm |
测量范围 | ±4mm |
重复精度 | 20μm |
直线性 | ±0.3% F.S. |
温度特性 | 0.03% F.S./℃ |
光源 | 红色半导体激光 1级(JIS/IEC/GB) 输出:0.2mW、发光光束波长:655nm |
光束直径 (注2) | 约ø150μm |
受光元件 | CMOS图形传感器 |
电源电压 | 12V~24V DC±10% 脉动P-P10% |
消耗电流 | 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
控制输出 | | NPN开路集电极晶体管 ・ 流入电流:50mA ・ 外加电压:30V DC以下(控制输出和0V之间) ・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA下) ・ 漏电流:0.1mA以下 PNP开路集电极晶体管 ・ 源电流:50mA ・ 外加电压:30V DC以下(控制输出和+V之间) ・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA下) ・ 漏电流:0.1mA以下 |
输出动作 | 入光时ON/非入光时ON 可切换 |
短路保护 | 配备(自动恢复) |
模拟输出 | 电压 | ・输出范围:0V~5V(报警时:+5.2V) ・输出阻抗:100Ω |
电流 | ・输出范围:4mA~20mA(报警时:0mA) ・负载阻抗:300Ω |
反应时间 | 1.5ms/5ms/10ms 可切换 |
外部输入 | NPN无接点输入 ・输入条件 无效:+8V~+V DC或者开放 有效:0V~+1.2V DC ・输入阻抗:约10kΩ PNP无接点输入 ・输入条件 无效:0V~+0.6V DC或者开放 有效:+4~+V DC ・ 输入阻抗:约10kΩ |
保护构造 | IP67(IEC) |
污染度 | 2 |
使用环境温度 | -10℃~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时:-20℃~+60℃ |
使用环境湿度 | 35%RH~85%RH、存储时:35%RH~85%RH |
使用环境照度 | 白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 |
使用标高 | 2,000m以下 |
电缆 | 0.2mm2 5芯复合电缆长2m |
材质 | 本体外壳:铝铸件 前面盖板:丙烯基 |
重量 | 约35g(不含电缆)、约85g(含电缆) |
适用规格 | 符合EMC指令 |