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京迈研 氧化镓靶材 Ga2O3磁控溅射材料

参   考   价: 1000

订  货  量: ≥1  件

具体成交价以合同协议为准

产品型号3529

品       牌

厂商性质生产商

所  在  地北京市

更新时间:2022-01-20 17:05:26浏览次数:142次

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京迈研3529 氧化镓靶材 Ga2O3磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料

京迈研3529  氧化镓靶材  Ga2O3磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料 

【参数说明】

支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 

【产品介绍】

氧化镓,别名三氧化二镓,氧化镓  Ga2O3  是一种宽禁带半导体Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。

中文名

氧化镓

      

1740°C

化学式

Ga2O3

    

未确定

分子量

187.44

    

未确定

 

【关于我们】

服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!

产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 

加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!

我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。

 :高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!

建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。

我公司主营金属靶材、陶瓷靶材、合金靶材,欢迎您的垂询。

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