ASML二手翻新DUV光刻机NXT:2050i现货 返回列表页

主要特点和优势

TWINSCAN NXT:2050i 建立在面向未来的 NXT4 平台之上，突破了重叠限制，并为浸没式光刻系统提供了的生产力。

TWINSCAN NXT:2050i 是的浸没式光刻系统设计与*的镜头设计相结合的地方，其数值孔径 (NA)为 1.35，是目前半导体行业中的。

这种步进扫描系统是一种高生产率的双阶段工具，专为批量生产而设计。

通过将高生产率与的覆盖性能相结合，该系统可满足多种图案化要求，为在*的逻辑和 DRAM 节点制造 300 毫米晶圆提供具有成本效益的解决方案。

01. 生产力

TWINSCAN NXT:2050i 正在提高半导体生产力，每小时能够生产 295 个晶圆。与早期的TWINSCAN系统相比，该系统通过减少开销时间每天能够额外交付 400 到 500个晶圆。重新设计的晶圆载物台配备更强大的电机，能够更快地加速并更准确地执行运动。

TWINSCAN NXT:2050i 采用新型浸入式罩，可减少水分流失，显着提高缺陷性能。这意味着通过减少减速来提高产品产量和提高生产力。

02. 光学

该系统采用 1.35 NA 193 nm 折反射投影镜头，可实现低至 40 nm（C-quad）和 38 nm（偶极子）的生产分辨率，以及支持全 26x33mm 视场尺寸、4X 缩小和标线的在线设计与现有设计的兼容性。

该系统的镜头元件配备了用于校正光学像差的操纵器，从而实现低 k 1的生产率成像。镜头指纹现在在高密度方面进行了优化，可以与 EUV 匹配。

平行 ILIAS (PARIS) 传感器允许平行测量整个投影狭缝的光学像差，从而实现更准确的对准、增强的标线加热校正和动态镜头加热校正。TWINSCAN NXT:2050i 使用的 PARIS 传感器对传感器安装进行了改进，从而提高了定位再现性。

03. 成像性能

该系统通过我们的极紫外 (EUV) NXE 系统提供了改进的交叉匹配性能。它可以在产品覆盖上实现 2.5 nm 的交叉匹配。标线平台配备了增强型夹具，不仅提高了系统的可靠性，而且还提高了覆盖层。ORION对准传感器提供更高的对准测量精度和增强的过程稳健性，未来可升级到 12 色模式。

液位传感器 (UVLS-2) 使用紫外光来限度地降低系统在晶圆表面在线映射期间对工艺堆栈变化的敏感性。该传感器具有更高的测量密度，可以在晶圆边缘实现更高的调平精度。