ASML二手翻新DUV光刻机NXT:1965Ci 返回列表页

ASML二手翻新DUV光刻机NXT:1965Ci，采用193nmARF曝光光源，分辨率38nm，产能250wph。

主要特点和优势

与 TWINSCAN NXT:1970Ci 一样，TWINSCAN NXT:1965Ci 步进扫描系统是一种高生产率的双级浸没式光刻工具，专为在 20 纳米以下节点批量生产 300 毫米晶圆而设计。

通过结合高生产率和出色的图像分辨率，TWINSCAN NXT: 1965Ci 可满足双重和多重图案化要求，为我们的客户提供用于亚 20 nm 节点的经济高效的解决方案。

01. 提高生产力

在该系统中，新颖的气体寿命延长减少了机器停机时间，并加强了经过验证的 6 kHz ArF 激光技术，以提供高功率以支持高吞吐量。浸没罩设计改进拓宽了使用无面漆的低接触角抗蚀剂优化缺陷率的窗口。

与 TWINSCAN NXT:1965Ci 维护计划程序一起，综合服务包通过利用系统空闲时间执行所需的日常维护来优化系统可用性。

TWINSCAN NXT:1965Ci 平面双载物台的刚度增加，可提供更高的速度和加速度，从而实现更快的步进和扫描序列。加上更快的卡盘更换，新设计在生产力方面向前迈出了一大步。此外，对可维护性的严格关注导致设计在需要时易于访问。

02. 的光学

基于 TWINSCAN NXT:1960Bi 成功的在线折反射透镜设计理念，TWINSCAN NXT:1965Ci 包括一个 1.35 NA 193 nm 折反射投影透镜，可实现低至 40 nm (C-quad) 和 38 nm (偶极子）和直列式设计，支持全 26 x 33 毫米视场尺寸、4 倍缩小和与现有设计的标线兼容性。

镜头元件配备了用于校正光学像差的操纵器，从而为低 k1 应用实现生产力。FlexRay Prepared Illuminator 通过扩展传统和离轴照明的范围来实现的灵活性，以实现用于低 k1 成像的高级瞳孔整形。

03. 成像性能

NXT:1965Ci 可以实现 ≤ 2.5 nm 单机（专用卡盘）全晶圆覆盖覆盖，以及 ≤ 4.5 nm 匹配机（参考晶圆）全晶圆覆盖覆盖。

该系统的平行 ILIAS (PARIS) 传感器允许客户对整个投影狭缝中的光学像差进行平行测量，从而实现更准确的对准、改进的标线加热校正和动态镜头加热校正。