半导体场效应晶体管IV特性测试实验 返回列表页

半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。直流 I-V    测试是表征微电子器件工艺及材料特性的基础，通常使用I-V特性分析或I-V曲线来决定器件的基本参数。

分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。在半导体制程的多个阶段都有应用，如金属互连，镀层阶段，芯片封装后的测试等。

普赛斯仪表开发的半导体分立器件I-V特性测试方案，由一台或两台源精密源测量单元（SMU）、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET 器件为例，配套以下设备：

两台S 型数字源表

四根三同轴电缆

夹具或带有三同轴接口的探针台

三同轴 T 型头

       需要测试的参数：    
输出特性曲线

转移特性曲线

跨导 gm

击穿电压 BVDS

需要仪器列表：    
SMU 源表

探针台或夹具

普赛斯上位机软件

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