碳化硅靶材SiC靶材磁控溅射靶材

京迈研*科研实验碳化硅靶材SiC靶材磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

纯度 99.99%

产品参数

中文名 碳化硅            化学式 SiC
分子量 40.1              熔点 2700 °C（升华）
密度 3.2g/cm3            水溶性 不溶

产品介绍

供作稀土磁性材料，特种钢及有色金属合金添加剂，也可作储氢材料、储电材料等。用于制作合金；用于加工用磁铁。用于制造玻璃、打火石、陶瓷和合金等

金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。

主要用途

用于3—12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。

用于半导体、避雷针、电路元件、高温应用、紫外光侦检器、结构材料、天文、碟刹、离合器、柴油微粒滤清器、细丝高温计、陶瓷薄膜、裁切工具、加热元件、核燃料、珠宝、钢、护具、触媒担体等领域。

公司介绍

北京京迈研材料科技有限公司坐落于北京通州区创建于2015年,是国内有色金属行业综合性研究开发公司。 现有员工100余人。我公司光学镀膜材料中心以国内*的技术，多年来一直专业从事光学镀膜材料及溅射靶材的研发与生产。靶材包括各种氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、复合物、金属及合金等，也可根据您的要求量身定做。

公司现有靶材热压炉；真空蒸馏装置，电解槽，单晶炉，区熔装置，CVD（化学气象沉积）装置，PVD（物理气象沉积）装置，移动式加热装置等多种高纯金属和化合物生产研发设备；提纯工艺包括：真空蒸馏；精馏；区域熔炼；电解；化学气象沉积；物理气象沉积；热扩散；单晶提拉法等。纯度从99.9%-99.99999%,公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品，产品涉及工具/装饰镀膜、玻璃镀膜、光学镀膜、平面显示/触摸屏镀膜、薄膜太阳能镀膜等多个领域广泛应用到国内外众多太阳能、航空航天、生物医疗、*微电子、信息储存、汽车、船舶、装饰、工业镀膜、新能源企业当中。

自有设备：真空热压炉，真空中频感应熔炼炉，冷坩埚悬浮熔炼炉，非自耗真空电弧炉，真空高温加热炉，真空烧结炉，真空蒸馏炉，定向凝固，区域熔炼炉，多温区加热炉，单晶炉，高温烧结炉，单温区，双温区、多温区液相、气相合成炉、氧化炉、加工设备。

北京京迈研材料科技有限公司几年来已先后与国内几十家高校、中科院等研究院所建立了*友好的合作关系，并与这些科研单位有密切的学术交流和技术合作项目，并远销欧洲、美国、日本、韩国等，在镀膜行业拥有良好的声誉。