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SE-VE光谱椭偏仪

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更新时间：2025-02-10 18:43:06浏览次数：25次

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产品简介

SE-VE光谱椭偏仪本设备基于单旋转补偿器调制技术一次性获取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光谱，可实现基底上单层到多层薄膜的膜厚、光学常数的快速分析表征。

详细介绍

SE-VE光谱椭偏仪

本设备基于单旋转补偿器调制技术一次性获取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光谱，可实现基底上单层到多层薄膜的膜厚、光学常数的快速分析表征。

1、 椭偏仪测头规格：
1) 光谱范围：400-800nm
2) 入射角：65°
3) 光斑大小：200μm
4) 调制技术：PC_RSA调制技术
5) 重复性测量精度：0.01nm（100nm 硅基SiO2样件，30次重复测量）
6) 膜厚测量范围：0.1nm—20μm
7) 单点测量时间：＜5s
8) 光源：高性能进口卤素灯光源（卤素灯寿命：2,000h）
9) 可视化样品显微对准系统
2、 样品台规格：
1) 基板尺寸：支持样件尺寸到Ф180mm
2) Z轴位移行程：0-10mm
3) 样件台俯仰角度：> ±2°

3、 测控与分析软件
1) 光谱测量能力：PSI/DELTA椭偏光谱、N/C/S光谱、反射率光谱测量
2) 数据分析能力：具备单层、多层膜厚、光学常数（折射率、消光系数）分析能力
3) 支持常用光学常数模型以及常用振子模型（柯西模型、洛伦兹模型、高斯模型等），并支持图形化多振子混合模型拟合功能
4) 支持多组分薄膜与体材料光学常数、组分比例分析功能；核心算法包含严格耦合波模型、等效介质模型
5）支持用户自定义，软件不限制拷贝数量，支持windows10操作系统