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上海交大王国兴教授课题组在宽带高精度模数转换器芯片设计领域取得重要进展

2025-11-14 11:12:15上海交通大学阅读量：7281      我要评论

　　近日，集成电路学院(信息与电子工程学院)王国兴教授课题组在面向无线通信应用的宽带高精度模数转换器芯片领域取得了显著进展，相关研究成果以“A 6.4-GS/s, 200-MHz BW 77.3-dB DR 71.5-dB SNDR 2× TI Extrapolated CT DSM Employing Broadband Hybrid-Inputs Adder and Nonlinearity-Suppression DAC Encoder”为题发表在国际顶级集成电路期刊IEEE Journal of Solid-State Circuits(JSSC)上。论文第一作者为集成电路学院(信息与电子工程学院)博士生刘悦凯，通讯作者为祁亮副教授，王国兴教授为论文的共同作者。

　　研究背景

　　宽带高精度模数转换器是移动应用通信和物联网硬件中的核心电路模块。其中，连续时间ΔΣ调制器(CT-DSM)因其阻性输入阻抗和抗混叠滤波特性，在无线收发机领域得到了广泛应用。然而，受限于自身的过采样特性，CT-DSM芯片在大带宽应用背景下需要工作在超高速采样时钟下，这极大地增加了芯片设计的难度，并限制了系统的能效。

　　研究内容

2× TI CT DSM模拟外插预测架构系统框图

电容电阻并联型源极退化跨导输入前端电路图及带宽提升效果图

使用反向编码的外环三态IDAC电路示意图及性能提升效果图

　　针对宽带CT-DSM存在的过采样率受限问题，研究团队将时钟交织技术(TI)应用到宽带CT-DSM架构中，并基于模拟外插预测架构，采用了积分器级联前馈式环路滤波器，在噪声传递函数中实现了零点优化。在电路设计方面，研究团队针对多路输入的加法器电路模块，提出了混合型输入前端的电流型加法器，并创新性地设计了电容电阻并联型源极退化跨导(Gm)输入前端，显著提高了跨导输入路径的带宽。此外，针对外环DAC失配问题，研究团队提出了针对三态IDAC的反向编码方式，大幅降低了对外环DAC失配的敏感度。

　　研究成果

2× TI CT DSM芯片显微照片和版图布局图

单音信号激励下芯片输出频谱图

动态范围测试结果图

先进模数转换器性能对比图

　　该原型芯片采用28nm CMOS工艺制造，核心面积为0.13mm²，实现了71.5dB的SNDR和77.3dB的动态范围(DR)。在目前已报道的带宽不低于100MHz的先进宽带模数转换器芯片中，其动态范围指标达到了国际领先水平。该研究成果为宽带高精度ΔΣ型模数转换器芯片的系统架构设计提供了新的解决方案。

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