法国施耐德XS108B3NAM8接近开关
接近开关两种安装方式的区别
一般接近开关有两种安装方式：齐平安装和非齐平安装。 齐平安装：接近开关头部可以和金属安装支架相平安装。 非齐平安装：接近开关头部不能和金属安装支架相平安装。
一般，可以齐平安装的接近开关也可以非齐平安装，但非齐平安装的接近开关不能齐平安装。这是因为，可以齐平安装的接近开关头部带有屏蔽，齐平安装时，其检测不到金属安装支架，而非齐平安装的接近开关不带屏蔽，当齐平安装时，其可以检测到金属安装。正因为如此，非齐平安装的接近开关的灵敏度比齐平安装的灵敏度要大些，在实际应用中可以根据实际需要选用。
霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的，当B值达到一定程度(如B1)时，霍尔开关内部的触发器翻转，霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般彩用晶体管输出，和接近开关类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型(双极性)、双信号输出之分。
1.电感式接近开关
电感式接近开关工作原理
电感式接近开关由三大部分组成：振荡器、开关电路及放大输出电路。振荡器产生一个交变磁场。当金属目标接近这一磁场，并达到感应距离时，在金属目标内产生涡流，从而导致振荡衰减，以至停振。振荡器振荡及停振的变化被后级放大电路处理并转换成开关信号，触发驱动控制器件，从而达到非接触式之检测目的
2.霍尔接近开关工作原理
原理简介：
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为
U=K·I·B/d
其中K为霍尔系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度，d是薄片的厚度
法国施耐德XS108B3NAM8接近开关
