ENI1220 IPM 测试系统
| 系统概述 |
| 基础配置 | ||||||||||||||||
| 该系统是测试IPM的测试设备，输出电压3000v.电流3000A, 系统通过外接数字温度计来观察vf的特征在通过标准温度和测量温度下的温度特征。 |
| 电压 | 电流 | |||||||||||||||
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| 标配 | 选配 | 标配 | 选配 | ||||||||||||||
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| 1200V | 1000V | 200A | 200A | ||||||||||||||
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| 2200V | 400A | ||||||||||||||||
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| 3300V | 600A | ||||||||||||||||
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| 4500V | 1000A | ||||||||||||||||
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| 6000V | 2000A | ||||||||||||||||
| 配置/短路测试 | ||||||||||||||||||
| 电压 | 电流 | 短路测试 | ||||||||||||||||
| 标配 | 选配 | 标配 | 选配 | 项目 | 范围 | 误差 | 分辨率 | |||||||||||
| 1200V | 2200V | 200A | 400A | VPN | 100V～1200V | ±3% | 10V | |||||||||||
| 3300V | 600A | 测试电流 | 10A～75A | ±3% | 1A | |||||||||||||
| 4500V | 1000A | 短路电流 | 100A～500A | ±3% | 1A | |||||||||||||
| 6000V | 2000A | 短路时间 | 1 uS～10uS | 可调 | 可调 | |||||||||||||
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| 测试功能 | ||||||||||||||||||
| 测试范围 | 测试参数 | |||||||||||||||||
| IPM | BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS | |||||||||||||||||
| IGBT | ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT) | |||||||||||||||||
| DIODE | VF-Temp, Temp, VF revision | |||||||||||||||||
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| 参数 / 精度 | ||||||||||||||||||
| 静态参数 |
| 动态参数 | ||||||||||||||||
| 上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H) | 上 桥 开 关 参 数 | 集电极电压Vce： 100～1200V， | 误差±3%,分辨率10V | |||||||||||||||
| 上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H) | ||||||||||||||||||
| 上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH) | 集电极电流Ice： 10～75A， | 误差±3%,分辨率1A | ||||||||||||||||
| 上桥驱动IC静态工作电流测试 （Iqbs-U,V,W） | ||||||||||||||||||
| VD=VBS=15V, | 误差±3%,分辨率0.1V | |||||||||||||||||
| 上桥欠压保护监测电平 （UVbsd-U V W） | VIN=0～5V | 误差±3%,分辨率0.1V | ||||||||||||||||
上桥欠压保护复位电平（UVbsr-U V W） | ton-L : 10～500nS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
| 上桥驱动IC导通阈值电压测试 （Vth（on）-UH VH WH） | tc（on）-L :5～200ｎS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||
| toff-L: 50～500ｎS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
| 上桥驱动IC关断阈值电压测试 （Vth（off）-UH VH WH） | tc(off)-L: 5～200ｎS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||
| Trr-L :10～500ｎS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
| 上桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UH VH WH） | Eon-L :0.1～10ｍＪ, | 误差±3%,分辨率0.1mJ | ||||||||||||||||
| 上桥FRD正向压降测试（VF-(UH VH WH) | Eoff-L： 0.1～10ｍＪ | 误差±3%,分辨率0.1mJ | ||||||||||||||||
| 下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L) | 下 桥 开 关 参 数 | 集电极电压Vce： 100～1200V， | 误差±3%,分辨率10V | |||||||||||||||
| 下桥驱动IC静态工作电流测试（IDL） | ||||||||||||||||||
| 故障输出电压测试（Vfoh Vfol） | 集电极电流Ice： 10～75A， | 误差±3%,分辨率1A | ||||||||||||||||
| 过流保护阈值电压测试（Vcin（ref）） | ||||||||||||||||||
| 下桥欠压保护监测电平（UVdd） | VD=VBS=15V, | 误差±3%,分辨率0.1V | ||||||||||||||||
| 下桥欠压保护复位电平（UVdr） | VIN=0～5V | 误差±3%,分辨率0.1V | ||||||||||||||||
| 下桥驱动IC导通阈值电压 （Vth（on）-UL VL WL） | ton-L : 10～500nS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||
| tc（on）-L :5～200ｎS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
| 下桥驱动IC关断阈值电压 （Vth（off）-UL VL WL） | toff-L: 50～500ｎS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||
| tc(off)-L: 5～200ｎS, | 误差±3%,分辨率1nS | |||||||||||||||||
| 下桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UL VL WL） | Trr-L :10～500ｎS, | 误差±3%,分辨率1nS | ||||||||||||||||
| 下桥FRD正向压降测试（VF-(UL VL WL) | Eon-L :0.1～10ｍＪ, | 误差±3%,分辨率0.1mJ | ||||||||||||||||
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| Eoff-L： 0.1～10ｍＪ | 误差±3%,分辨率0.1mJ | |||||||||||||||
